募集職種詳細

プロセス技術・デバイス技術

半導体前工程プロセス/インテグレーションエンジニア(DRYエッチング、CVD/ALD成膜)[A]

職務内容 【職務内容】
当社の三次元フラッシュメモリの更なる高積層化実現のためのエッチング技術/成膜技術/基板接合技術開発、プロセスインテグレーション技術開発。半導体製造装置メーカーの窓口として、折衝/交渉や共同研究なども担当していただきます。
将来的には、若手エンジニアの育成や組織づくり、外部機関との共同研究推進など、中長期的な戦略策定にも携わっていただきます。

【採用背景】
現在のフラッシュメモリ製造業界におけるトレンドは、高積層化技術開発です。当社では、現在96層構造を有した三次元フラッシュメモリ (BiCS FLASH)を量産化しており、更なる高積層化に向けての研究開発も進めております。その高積層化のカギを握るのは、エッチング技術、及び成膜技術/基板接合技術となります。
それぞれのプロセス技術の知見はもちろん、製造装置の基本的構造及び特性を熟知し、将来技術戦略の提案/策定/実行を進めるチームメンバーを求めています。
※三次元フラッシュメモリ:BiCS FLASHについて
https://business.toshiba-memory.com/ja-jp/product/memory/bics.html 
応募資格 【必須】
・半導体前工程のエッチング技術/成膜技術/基板接合技術において、ハードウェア/プロセス/インテグレーション関連業務に携わったご経験をお持ちの方
※半導体製造装置メーカー/半導体デバイスメーカー出身者歓迎

【歓迎】
・プロジェクトをリードしたご経験をお持ちの方
・若手エンジニアの育成や組織づくりのご経験をお持ちの方

【学歴】
◆高専・大学・大学院卒 
待遇 ・給与:月給21万円以上
※上記は初任給(学卒新人)です。経験・能力を考慮し決定。

・勤務時間 :フレックスタイム制(※標準労働時間7時間45分)
・休日・休暇 :完全週休2日制(土日)、祝日、 GW、夏季、年末年始
       有給、育児休暇、介護休暇・赴任休暇、結婚休暇、慶弔休暇等
・諸手当   :次世代育成手当
       (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月)
        住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当等
・寮・社宅  :独身寮、単身寮、家族社宅
・その他   :昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費全額支給
       社会保険完備、カフェテリアプラン、保養所、スポーツクラブ等  
勤務地 ◆四日市工場(三重県四日市市)
・近鉄富田駅より車10分、バス20分
※名古屋駅より急行で30分弱
・東名阪道四日市東ICより車5分 

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