募集職種詳細

プロセス技術・デバイス技術

先端デバイス技術開発:新規メモリ・次世代メモリのセル設計、デバイス開発等[A・D]

職務内容 ◆当社フラッシュメモリや、新規メモリの更なる高集積化実現のためのデバイス技術開発業務。フラッシュメモリ(3D製品を含む)、新規メモリ、またはメモリ周辺回路用デバイスについて

・セル設計・デバイス設計
・ロット試作
・電気特性、信頼性の評価

いずれかを担当頂きます。

【採用背景】
当社が手がけるフラッシュメモリは、世界最先端の3Dプロセス技術を用いており、スマートフォンの普及加速・高性能化やIoTの進展を背景に需要が拡大。今後、更なる増産投資、技術開発投資を行うことから、部門強化のため、大規模募集を行っています。

※参考記事:
部門長インタビュー(四日市地区)

部門長インタビュー(京浜地区)

キャリア入社者アンケート
 
応募資格 ◆半導体デバイス開発の経験をお持ちの方。MOSFETなどデバイス構造・動作に対しての知識を有する方。半導体、電子デバイスなどのデバイス技術開発、製品技術、歩留り改善、量産立上げ何れかの御経験をお持ちの方。
※ロジックLSI、ディスクリートなど、異なる製品の経験者も歓迎

※御経験の一致度を鑑み、別の職種での選考を打診させて頂くケースもございます。その際は面接前にご連絡させて頂きます。

※勤務地は業務内容によりいずれかに配属。
 配属先は選考を通じ決定。

【学歴】
◆高専・大学・大学院卒 
待遇 ・給与:月給21万円以上
※上記は初任給(学卒新人)です。経験・能力を考慮し決定

・勤務時間 :フレックスタイム制(※標準労働時間7時間45分)
・休日・休暇 :完全週休2日制(土日)、祝日、 GW、夏季、年末年始
       有給、育児休暇、介護休暇・赴任休暇、結婚休暇、慶弔休暇等
・諸手当   :次世代育成手当
       (18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円/月)
        住宅費補助、通勤手当、時間外勤務手当等
・寮・社宅  :独身寮、単身寮、家族社宅
・その他   :昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)、交通費全額支給
       社会保険完備、カフェテリアプラン、保養所、スポーツクラブ等  
勤務地 ◆四日市工場(三重県四日市市)
・近鉄富田駅より車10分、バス20分
※名古屋駅より急行で30分弱
・東名阪道四日市東ICより車5分

◆大船分室(神奈川県横浜市栄区)
・JR大船駅徒歩7分 

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